[发明专利]二维沟道器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111203318.6 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113937001A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘金营 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/24;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种二维沟道器件及其制备方法。器件包括半导体基底、二维沟道材料层和栅极结构，半导体基底内形成有源极、漏极和沟道区，二维沟道材料层位于源极、漏极和沟道区的表面，沟道区内填充有绝缘材料层，栅极结构位于沟道区的上表面，栅极结构的横向尺寸小于源极及漏极之间的间距，栅极结构自下而上包括栅氧化层、栅介质层和功函数金属层。本发明采用二维材料层作为器件沟道，利用二维材料具有较高的电子迁移率，其本征表面无悬挂键等特点，可降低表面载流子散射和栅界面态，从而使器件尺寸进一步缩小的同时提高器件性能。且制备过程中，器件沟道下的绝缘材料层通过掏空半导体材料层再回填氧化硅等绝缘材料的方式形成，可减少漏电的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 沟道 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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