[发明专利]一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法在审
| 申请号： | 202111204291.2 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113930741A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 宋永辉;王世宽;蔡浩杰 | 申请（专利权）人： | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;B08B7/00;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 江苏智天知识产权代理有限公司 32550 | 代理人： | 陈文艳 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决磁控溅射生长氧化钒薄膜颗粒的工艺方法，针对由于高价态氧化钒掉落衬底导致氧化钒薄膜良率不达标的问题，提供了以下技术方案，步骤1，将衬底从真空室中移出，气嘴停止供氧气；步骤2，利用溅射电源，向靶材施加高频电力，以使靶材向真空室内溅射钒离子；步骤3，利用外力，将步骤2中的钒离子引导朝向真空室内的屏蔽件和气嘴的方向移动，并使钒离子附着在屏蔽件和气嘴上。利用纯钒的粘性，使高价态的氧化钒在气嘴和屏蔽件上固定牢固，不易掉落至氧化钒薄膜上，从而使氧化钒薄膜的钒元素的含量在可控的范围内，提高氧化钒薄膜的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 磁控溅射 生长 氧化 薄膜 颗粒 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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