[发明专利]半导体装置与其制作方法在审
| 申请号： | 202111208013.4 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115988880A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 翁茂元;廖廷丰;刘光文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包含周边区块、基材、以及阵列区块。周边区块包含互补式金属氧化物半导体元件。基材设置在周边区块上，基材包含设置在周边区块上的N型掺杂多晶硅层、设置在N型掺杂多晶硅层上的氧化物层，以及设置在氧化物层上的P型掺杂多晶硅层。阵列区块设置在基材上，阵列区块包含设置在P型掺杂多晶硅层上并交替堆叠的栅极结构与绝缘层，其中栅极结构中的最底层的一个与P型掺杂多晶硅层一起作为半导体装置的接地选择线。阵列区块还包含垂直通道结构，穿过栅极结构与绝缘层，且延伸进入N型掺杂多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
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