[发明专利]基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光电化学传感器的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111210426.6 申请日: 2021-10-18
公开(公告)号: CN113984854A 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 魏琴;徐芮;任祥;孙旭;吴丹 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30;G01N27/327
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及基于双Z型异质结构建的黄曲霉毒素B1光电化学传感器的制备方法。本发明以CoTiO3/g‑C3N4/Bi2O3作为基底材料来获取光电流,g‑C3N4与CoTiO3和Bi2O3分别可以形成Z型异质结构,这种异质结构的形成,能够有效提高光生电子的传递速度,减少电子和空穴的复合效率,极大的提高了可见光利用率。以MnO2作为标记物标记黄曲霉毒素B1第二抗体,MnO2可以催化测试底液中的抗坏血酸,实现光电流信号的有效猝灭,提高检测灵敏度,实现了对黄曲霉毒素B1的灵敏检测。其检测限为0.025 pg/mL。
搜索关键词: 基于 型异质 结构 黄曲霉 毒素 b1 电化学传感器 制备 方法
【主权项】:
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