[发明专利]半导体结构的键合方法和半导体设备在审

专利信息
申请号: 202111210755.0 申请日: 2021-10-18
公开(公告)号: CN113972143A 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 任小亮 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/67;H01L21/68;H01L23/544
代理公司: 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 代理人: 苗源
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提供了一种半导体结构的键合方法和半导体设备,涉及半导体技术领域,该半导体结构的键合方法包括:提供具有相对设置的第一面和第二面第一半导体结构;对第一面或第二面进行处理,形成具有第一键合面的至少一个第一单体;对第一半导体结构进行扩片处理;提供具有第二键合面的第二半导体结构;整体翻转第一半导体结构;对第一键合面与第二键合面进行对准处理;完成键合操作。本公开通过将具有至少一个第一单体的第一半导体结构进行整体翻转,而后再进行键合过程,大大减少了半导体结构键合过程中的翻转次数,避免了因多次翻转而导致的半导体结构的表面污染问题,从而有效提高了半导体结构的键合质量和键合效率。
搜索关键词: 半导体 结构 方法 半导体设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111210755.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top