[发明专利]一种二维层板状过渡金属硫化物材料的制备方法有效
| 申请号： | 202111211620.6 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113800568B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 范同祥 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01F7/785;C01F7/784;C01G9/00;C25B11/075;C25B1/04 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二维层板状过渡金属硫化物材料的制备方法，包括以下步骤：A)制备由二价、三价阳离子组成主体层板、阴离子插层水滑石材料；B)将含钼和含硫前驱体和水滑石材料复合或分开放置；C)将步骤B得到的体系进行热处理得到表面负载有二硫化钼的复合产物；D)将得到的复合产物进行刻蚀处理，去除水滑石转化物基底，得到层板状的二硫化钼材料。通过层状水滑石材料与含硫、含钼化合物的相互作用实现二维层状二硫化钼纳米材料的生长调控，得到二维层板状二硫化钼。这种二维层板状二硫化钼具有纳米级到微米级可调的大小、分散性好、比表面积高、活性位点充分暴露等优点。该方法原料来源广泛、制备简单环保、易实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 层板状 过渡 金属 硫化物 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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