[发明专利]基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111216859.2 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113659011A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 盛琳;东伟 | 申请（专利权）人： | 茂睿芯（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招商街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，提供了基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法。本发明提供的基于超结MOSFET的集成器件包括：漏极、半导体衬底、半导体衬底上设置的至少两个超结MOSFET、用于源极不相连的超结MOSFET之间的源极隔离结构，所述隔离结构包括至少一个浮空P柱结构，所述超结MOSFET包括了P型体掺杂区、P柱、外延区、源极区、源极金属层、绝缘介质层、氧化物层、多晶硅栅极；所述两个源极不相连的超结MOSFET相邻P柱之间具有隔离距离，通过设置不同的隔离结构增大所述隔离距离，可以提高超结MOSFET之间的隔离电压，保证隔离电压性能同时将超结MOSFET集成一体。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mosfet 集成 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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