[发明专利]四氧化三钴纳米带@氮掺杂石墨烯杂化材料的制备方法有效
| 申请号： | 202111217342.5 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114105215B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 孟二超;唐华杰;黄瑛;孙建林 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;C01B32/184;B82Y30/00;B82Y40/00;H01M4/52;H01M4/36;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种四氧化三钴纳米带@氮掺杂石墨烯杂化材料的制备方法。以六水合硝酸钴、尿素和氧化石墨烯为原料，采用溶剂热法制得前驱体材料。制备过程中同步实现碱式碳酸钴纳米带前驱体在氧化石墨烯表面的原位生长、氧化石墨烯的氮掺杂和部分还原。前驱体材料经热处理后，制备出四氧化三钴纳米带@氮掺杂石墨烯杂化材料。该材料兼具四氧化三钴的高能量密度、氮掺杂石墨烯的高导电性及杂化材料的原位复合等特性，最大程度地发挥各因素的协同效应提升杂化材料的储锂性能。在100mA/g电流密度下杂化材料的比容量为1249mAh/g，经100次循环后，仍能保持1221mAh/g的比容量。在5A/g大电流密度下，比容量仍可达500mAh/g。本发明材料具有优异的电化学性能，在储锂方面具有广阔应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 掺杂 石墨 烯杂化 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111217342.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
