[发明专利]一种半导体结构及一种硬掩膜层的制造方法在审
| 申请号： | 202111217366.0 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113948377A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 龙洋;蒋志超;刘丽娟;罗兴安 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构及一种硬掩膜层的制造方法，包括衬底、衬底上的待刻蚀膜层和待刻蚀膜层上的硬掩膜层，硬掩膜层中掺杂有氮。掺杂有氮的硬掩膜层的硬度有显著提升，能够提高硬掩膜层和待刻蚀膜层的刻蚀选择比，使得较薄的硬掩膜层就能够覆盖待刻蚀膜层中不需要刻蚀的区域，以便待刻蚀膜层中不需要刻蚀的区域不受等离子体刻蚀的损伤，降低半导体结构的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 硬掩膜层 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
