[发明专利]一种硅碳千层结构负极材料的制备方法及其产品有效
| 申请号： | 202111218272.5 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113943174B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杜宁;王振;叶天成;韩忠兴;胡洪鑫;周敏 | 申请（专利权）人： | 浙江锂宸新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;C04B41/85 |
| 代理公司： | 杭州知闲专利代理事务所(特殊普通合伙) 33315 | 代理人： | 朱朦琪 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅碳千层结构负极材料的制备方法，包括：将石墨置于密封性良好的回转窑炉中，通入惰性气体，升温至450～900℃；向回转窑炉中通入硅源与惰性气体的混合气，经化学气相沉积后得到沉积硅的石墨；将回转窑炉升温至800～950℃，并通入碳源气体与惰性气体的混合气，经化学气相沉积后得到包覆硅碳的石墨；重复沉积硅、碳步骤若干次后得到硅碳千层结构负极材料。本发明制备得到的硅碳千层结构负极材料，重复交替硅层碳层避免了硅体积膨胀，多层硅层及碳层均为纳米级别，整体颗粒增大有限；还规避了压实致密化处理程序对其结构的破坏，提升硅碳负极容量的同时保证了循环性能，兼具高首效、高容量、高循环性能等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅碳千层 结构 负极 材料 制备 方法 及其 产品 | ||
【主权项】：
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