[发明专利]一种提高刻蚀效率的制造方法有效
申请号: | 202111219997.6 | 申请日: | 2021-10-20 |
公开(公告)号: | CN113900353B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 孙冰丽;陈军;王亚萍;孙健;苏晓华;常夏森;宋祎杰;丁福康 | 申请(专利权)人: | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G02B6/136;G02B6/125;G02B6/124;G02B6/132 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 栗改 |
地址: | 458030 河南省鹤壁市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明提出了一种提高刻蚀效率的制造方法,用以解决现有半导体芯片制造过程中,由于除波导外空白面积较大进而导致刻蚀工艺时间较长的问题。本发明的步骤为:根据半导体芯片的波导得到设计图形,在设计图形的周围设计马赛克图形,得到掩膜版图;根据掩膜版图制作芯片的掩膜版。本发明只需要在掩膜版图绘制的时候,在原来的掩膜版图周围生成马赛克,在不增加生产工艺流程和生产成本的情况下,能够有效缩短刻蚀工艺时间,提高了刻蚀效率,从而提高半导体芯片的整体生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 刻蚀 效率 制造 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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