[发明专利]一种提高刻蚀效率的制造方法有效

专利信息
申请号: 202111219997.6 申请日: 2021-10-20
公开(公告)号: CN113900353B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 孙冰丽;陈军;王亚萍;孙健;苏晓华;常夏森;宋祎杰;丁福康 申请(专利权)人: 河南仕佳光子科技股份有限公司
主分类号: G03F1/80 分类号: G03F1/80;G02B6/136;G02B6/125;G02B6/124;G02B6/132
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 栗改
地址: 458030 河南省鹤壁市*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提出了一种提高刻蚀效率的制造方法,用以解决现有半导体芯片制造过程中,由于除波导外空白面积较大进而导致刻蚀工艺时间较长的问题。本发明的步骤为:根据半导体芯片的波导得到设计图形,在设计图形的周围设计马赛克图形,得到掩膜版图;根据掩膜版图制作芯片的掩膜版。本发明只需要在掩膜版图绘制的时候,在原来的掩膜版图周围生成马赛克,在不增加生产工艺流程和生产成本的情况下,能够有效缩短刻蚀工艺时间,提高了刻蚀效率,从而提高半导体芯片的整体生产效率。
搜索关键词: 一种 提高 刻蚀 效率 制造 方法
【主权项】:
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