[发明专利]一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法及其应用

摘要

本发明公开一种基于钴胺素/铁氰化钾复合膜传感器的制备方法及其应用，包括以下步骤：S1：将预处理后玻碳电极作为工作电极、铂丝电极为辅助电极、Ag/AgCl电极为参比电极，利用循环伏安法，于0.1mol/L H2SO4溶液中，在扫描电位范围为0～1.5V、扫描速度为100mV/s的条件下，活化扫描至循环伏安图形稳定；S2：取出S1处理后的玻碳电极，置于含有0.008～0.012mol/L铁氰化钾、6.0×10‑5～1×10‑4mol/L钴胺素、0.04～0.06mol/L氯化钾的混合溶液中，静置2min，在扫描电位范围为0～1.1V、扫描速度为50mV/s的条件下，循环伏安扫描15圈，即得。本发明首次利用铁氰化钾与钴胺素联合修饰传感器，钴胺素中的Co3+与铁氰化钾中的CN‑配位体自组装成金属有机框架结构，提高了复合膜的比表面积，实现对L‑半胱氨酸的特异性识别、快速检测。