[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202111224818.8 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN114023811B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/47;H01L21/336;H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该屏蔽栅沟槽型MOSFET器件包括衬底，衬底中设置有沟槽；沟槽的下部被屏蔽栅介质层和第一多晶硅层填充，屏蔽栅介质层覆盖沟槽的侧壁和底部，第一多晶硅层位于屏蔽栅介质层之间；在沟槽的上部被第一介质层、第二多晶硅层和第二介质层填充，第二介质层位于第二多晶硅层的上方，第二多晶硅顶部低于衬底表面；衬底中还设置有阱区和肖特基注入区，阱区位于沟槽的外侧，肖特基注入区位于阱区的外侧，肖特基注入区的底部高于阱区的底部；阱区内设置有源区和阱接触区，阱接触区位于源区和肖特基注入区之间；达到了降低体二极管正向导通电压，提升转换速度的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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