[发明专利]一种基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法有效

专利信息
申请号: 202111225732.7 申请日: 2021-10-21
公开(公告)号: CN114018897B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 白帆;胡赠彬;他德洪;苏海涛;黄韵婷 申请(专利权)人: 云南省产品质量监督检验研究院
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 周亚非
地址: 650223 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明属于纳米材料制备技术领域,特别涉及一种基于双层银纳米结构的硅基SERS基底的制备方法。本发明采用两步无电化学沉积技术,第一步在硅片表面沉积制备出均匀的单层银纳米粒子,第二步在单层银纳米粒子上再沉积制备出网状银纳米链,最终在硅片表面形成银纳米粒子和网状银纳米链的双层结构。与单层银纳米结构相比,双层银纳米结构形成更多“热点”区域,硅基SERS基底检测呈现出高灵敏度特征。本发明的制作成本低,具有无掩模、常温常压的制备特点,为新型硅基SERS基底的结构设计与制备提供了新的思路和有效的技术手段。
搜索关键词: 一种 基于 双层 纳米 结构 sers 基底 制备 方法
【主权项】:
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