[发明专利]NMOS晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202111226236.3 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114023651A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 江辉云;胡书怀;张志诚 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NMOS晶体管的制备方法，包括：提供一形成有浅沟槽隔离结构和P型阱区的衬底，所述衬底上形成有栅极结构和第一侧墙；在所述第一侧墙两侧的所述P型阱区中注入锗离子以形成硅锗区；形成缓冲层；形成应力层；执行退火工艺以在沟道区中产生应力记忆；去除所述应力层和所述缓冲层以及形成第二侧墙。本申请通过在形成第二侧墙之前，形成缓冲层、形成应力层并执行退火工艺(上述三个步骤为SMT工艺)以在沟道区中产生应力记忆，可以减小所述应力层距离该沟道区的距离，使得沟道区产生更多的应力记忆，增强SMT工艺对NMOS晶体管的应力提升效应，加快NMOS晶体管的载流子迁移率，从而提高NMOS器件的速度。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
