[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法在审
申请号: | 202111226933.9 | 申请日: | 2021-10-21 |
公开(公告)号: | CN114005890A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0747;H01L31/20 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 蒋松 |
地址: | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法,硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形;硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔,电极贯穿孔内填充有导电材料;设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线,电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连;设置于硅异质结主体下表面的导电图形,电极贯穿孔的下端与导电图形相连,导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形,相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连,提高组件良率和可靠性,可最大限度地提高焊接性和导电性,有利于保证组件长期可靠性。 | ||
搜索关键词: | 具有 电极 贯穿 硅异质结 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的