[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111226933.9 申请日: 2021-10-21
公开(公告)号: CN114005890A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 申请(专利权)人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0747;H01L31/20
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 蒋松
地址: 102209 北京市昌平区未来科技城国*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法,硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形;硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔,电极贯穿孔内填充有导电材料;设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线,电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连;设置于硅异质结主体下表面的导电图形,电极贯穿孔的下端与导电图形相连,导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。电池上表面栅线收集的电流经电极贯穿孔汇集并引导到电池下表面的导电图形,相邻的电池之间使用焊带将电池下表面的导电图形与相邻的电池下表面的栅线相连,提高组件良率和可靠性,可最大限度地提高焊接性和导电性,有利于保证组件长期可靠性。
搜索关键词: 具有 电极 贯穿 硅异质结 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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