[发明专利]基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法在审
| 申请号： | 202111231597.7 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN114001845A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 邓元;俞佳杰;张珂;吴思程 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学杭州创新研究院 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L1/18;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 熊敏敏;刘丰 |
| 地址： | 310051 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高密度微结构阵列电极的力敏传感器的制备方法，属于微纳加工及触觉传感技术领域。本发明的方法包括：在基板上采用微加工方法制备高密度微结构阵列模版；对高密度微结构阵列模版进行等离子处理，在高密度微结构阵列模版上旋涂预聚液后将其固化形成高密度微结构阵列基底，将高密度微结构阵列基底从高密度微结构阵列模版剥离；在高密度微结构阵列基底上覆盖电极掩模版，在其表面进行导电层沉积，得到高密度微结构阵列电极，将其与所需的力敏材料和封装材料进行封装和集成。本发明的方法通过构建高密度微结构阵列电极，从电极的角度出发构建力敏材料，具有普适性和通用性，极大地提高了力敏传感器的灵敏度及响应时间。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 高密度 微结构 阵列 电极 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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