[发明专利]金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法有效
申请号: | 202111232202.5 | 申请日: | 2021-10-22 |
公开(公告)号: | CN114381802B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 会田英雄;泽边厚仁;木村丰;水野润;大岛龙司 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人长冈技术科学大学;泽边厚仁;木村丰;学校法人早稻田大学;株式会社迪思科 |
主分类号: | C30B29/04 | 分类号: | C30B29/04;C30B25/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法。提供用于形成高品质的单晶金刚石的金刚石形成用结构体、及该结构体的制造方法。金刚石形成用结构体(10)由基底基板(11)和在基底基板(11)上形成的Ir薄膜(12)构成。基底基板(11)的热膨胀系数为金刚石的热膨胀系数的5倍以下,并且基底基板(11)的熔点为700℃以上。Ir薄膜(12)的X射线衍射图案中的峰的角度与基底基板(11)的X射线衍射图案中的峰的角度不同。 | ||
搜索关键词: | 金刚石 形成 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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