[发明专利]一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置在审
申请号: | 202111233846.6 | 申请日: | 2021-10-22 |
公开(公告)号: | CN113900180A | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 尹志军;汤济;崔国新;许志城 | 申请(专利权)人: | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/12 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域,提供一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置。该三维楔形铌酸锂薄膜波导装置,自下而上包括依次层叠设置的衬底层、绝缘层和铌酸锂层,铌酸锂层包括楔形层和平板层,楔形层包括楔形尖端和楔形尾端,楔形尖端用于匹配光纤模场,楔形尾端用于连接器件功能区域。其中,楔形尖端的厚度小于楔形尾端的厚度,楔形尖端的宽度远小于楔形尾端的宽度和平板层的宽度。本申请在实现水平方向波导模场扩展的基础上,进一步实现了垂直方向波导模场的扩展,从而实现与光纤模场的更进一步匹配,获得更高的纤芯耦合效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 楔形 铌酸锂 薄膜 波导 装置 | ||
【主权项】:
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