[发明专利]一种双辐射场的热中子参考辐射装置在审
| 申请号： | 202111235042.X | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN114114379A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张健;任忠国;张辉;王平全;杨竣凯 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | G01T7/00 | 分类号： | G01T7/00 |
| 代理公司： | 北京喆翙知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于中子物理与中子应用技术领域，提供了一种双辐射场的热中子参考辐射装置。该双辐射场的热中子参考辐射装置包括：第一保护层、第二保护层、中子源板、第一慢化层、第一均整透镜、第一辐射场、第一反射层、第二慢化层、第二均整透镜、第二辐射场以及第二反射层。一方面，中子源板释放的快中子依次经过第一慢化层、第一均整透镜以及第一反射层，最终得到热中子通量均匀且热中子注量率高的第一辐射场；另一方面，中子源板释放的快中子依次经过第二慢化层、第二均整透镜以及第二反射层，最终得到热中子通量均匀且热中子占比高的第二辐射场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 热中子 参考 装置 | ||
【主权项】：
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