[发明专利]一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法有效
| 申请号： | 202111235905.3 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113930843B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 顾跃;丁雨憧;杲星;李和新 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B29/20;C30B21/02;C30B11/00;C30B11/04 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 李海华 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于水平定向凝固法生长晶体的方法，本方法采用单晶炉制备，单晶炉炉内依次形成有用于向坩埚内添加原料的备料区、用于熔融原料的熔料区以及晶体生长的生长区，在单晶炉炉外设有与备料区相连通的加料装置，并通过加料装置向坩埚内添加原料，然后水平移动装有原料的坩埚，使坩埚进入熔料区并使原料熔化；然后移动坩埚回到备料区，重复备料区加料和熔料区熔料，直到原料添加到需要的量并熔化，移动坩埚至生长区，即可进行晶体生长。本发明能够有效保证产品成型厚度，保证产品成型质量及利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 水平 定向 凝固 生长 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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