[发明专利]红外焦平面芯片及其制备方法、红外焦平面探测器有效

专利信息
申请号: 202111238177.1 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN113690262B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 黄立;凡陈玲;汪良衡;刘文波;金迎春;操神送;丁颜颜;刘斌;周文洪 申请(专利权)人: 武汉高芯科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01J5/20
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 徐俊伟
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种红外焦平面芯片,包括衬底、红外敏感层、于衬底上设置的读出电路以及连接红外敏感层的互连金属,于红外敏感层的n型区设抗反膜,红外敏感层的p型区具有不透红外光的金属层,金属层通过引线与公共电极地连接。还提供一种红外焦平面探测器。还提供一种红外焦平面芯片的制备方法。本发明可降低中心像素和边缘像素Gpol工作点之间的电压偏差,进而提高了探测器边缘像素的成像质量。另外采用p型区生长等电位的金属,实现相同的等电位功效,避免了正面等电位加工工艺受限于平面结的局限性,和小像元芯片加工时等电位金属和像元间短路而失效的风险,可实现光增强电信号,减小光串音的效果,避免挡光而降低探测器灵敏度。
搜索关键词: 红外 平面 芯片 及其 制备 方法 探测器
【主权项】:
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