[发明专利]红外焦平面芯片及其制备方法、红外焦平面探测器有效
申请号: | 202111238177.1 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN113690262B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 黄立;凡陈玲;汪良衡;刘文波;金迎春;操神送;丁颜颜;刘斌;周文洪 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J5/20 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 徐俊伟 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种红外焦平面芯片,包括衬底、红外敏感层、于衬底上设置的读出电路以及连接红外敏感层的互连金属,于红外敏感层的n型区设抗反膜,红外敏感层的p型区具有不透红外光的金属层,金属层通过引线与公共电极地连接。还提供一种红外焦平面探测器。还提供一种红外焦平面芯片的制备方法。本发明可降低中心像素和边缘像素Gpol工作点之间的电压偏差,进而提高了探测器边缘像素的成像质量。另外采用p型区生长等电位的金属,实现相同的等电位功效,避免了正面等电位加工工艺受限于平面结的局限性,和小像元芯片加工时等电位金属和像元间短路而失效的风险,可实现光增强电信号,减小光串音的效果,避免挡光而降低探测器灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 红外 平面 芯片 及其 制备 方法 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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