[发明专利]一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法有效

专利信息
申请号: 202111239466.3 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN113965060B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 王菡;罗凯;陈波;杨丰;李鹏;苟超;梁盛铭;廖鹏飞;刘昱含 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02H9/02;H02M1/34
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 王海军
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于集成电路领域,特别涉及一种应用于LDO芯片的泄漏电流消除电路及消除方法。所述消除电路包括相互连接的泄漏电流采样电路、电流输出电路以及电流放大电路;所述泄漏电流采样电路连接LDO的输出端,并采样该LDO的功率管的泄漏电流;所述电流输出电路连接LDO内部缓冲电路的基极,并根据缓冲电路基极电位检测功率管的工作状态,在所述功率管进入截止区时,将采样的泄漏电流输出;所述电流放大电路连接LDO的输出端,并将采样的泄漏电流放大后注入到所述输出端中,抵消功率管的泄漏电流。本发明可精确采样并抵消功率管泄漏电流,避免空载时LDO输出电压偏离典型值。
搜索关键词: 一种 应用于 ldo 芯片 泄漏 电流 消除 电路 方法
【主权项】:
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