[发明专利]基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元在审
| 申请号： | 202111239678.1 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114220465A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张跃军;李憬;戴晟;傅晟杰 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元，包括6T SRAM和非易失存储模块，非易失存储模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容，为4T2C结构，非易失存储模块中，采用第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容这一对铪基铁电电容作为非易失存储器件，形成互补双边结构，断电前将6T SRAM中的数据保存在第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容中，然后完全关断本发明电路，节省了待机功耗，第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容形成的互补双边结构可以提高数据恢复率和抵抗工艺变化的可靠性；优点是具有较高的数据恢复率和良好的抵抗工艺变化的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铪基铁电 电容 非易失性 sram 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学，未经宁波大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111239678.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种瓦楞纸板的自动化裁切装置
- 下一篇：发药系统
