[发明专利]一种碳化硅沟槽栅MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202111239940.2 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN113690321B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 盛况;任娜;徐弘毅;江崇瑜 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 周云 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅沟槽栅MOSFET及其制造方法，包括具有第一掺杂类型的衬底，形成在衬底上具有第一掺杂类型的外延层，形成在外延层上方具有第二掺杂类型的外延阱区，形成在外延阱区内具有第一掺杂类型的第一源接触区和具有第二掺杂类型的第二源接触区，沟槽栅，源电极和楼电极，所述沟槽栅包括栅介质和栅电极，其特征在于，所述碳化硅沟槽栅MOSFET包括：包裹在沟槽栅底部的呈凹型的具有第一掺杂类型的注入型电流扩散区，其中所述注入型电流扩散区的底部不高于外延阱区的底部。合理设置注入型电流扩散区，能够限制器件的饱和电流，同时能分离电场峰值和电流位置的位置，降低发热功率，增大器件的短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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