[发明专利]基于自对准的半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202111244067.6 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113707722B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;徐妙玲;孙安信;黎磊;张晨;邱艳丽;冯云艳;王志超;李天运 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 耿苑 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于自对准的半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面的外延层；设置于所述外延层内的第一阱区和第二阱区；设置于所述外延层内的JFET层，所述JFET层包括：第一JFET层和第二JFET层；设置于所述第一阱区朝向所述半导体衬底一侧表面的第一电流扩展层；设置于所述第二阱区朝向所述半导体衬底一侧表面的第二电流扩展层。本方案提出一种新型的电流扩展层掺杂及JFET掺杂与P阱的自对准实现方法，可以同时兼顾JFET电阻及沟道电阻的降低及反向击穿电压的保持及阈值稳定性，实现电流扩展层的更高掺杂及JFET层的更均匀掺杂，从而进一步降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 对准 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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