[发明专利]基于伪沟道的半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202111244258.2 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113707723B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;黎磊;徐妙玲;张晨;邱艳丽;王志超;冯云艳;李天运 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 耿苑 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于伪沟道的半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面的外延层；设置于所述外延层背离所述第一表面内的阱区、第一JFET区和第二JFET区；设置于所述阱区背离所述半导体衬底表面内的源区；其中，所述第一JFET区和所述第二JFET区内均具有多个第一离子注入区；同一JFET区内，多个所述第一离子注入区在第一方向上依次排布；所述第一方向平行于所述半导体衬底，且垂直于所述第一JFET区和所述第二JFET区的连线方向。应用本发明提供的技术方案，通过在JFET区内依次注入B离子，可以有效降低JFET表面的电场，防止器件失效，同时还可以提高器件的导通电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 沟道 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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