[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111244415.X | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114447097A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 小西和也;西康一;新田哲也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的在于提供能够降低接通电压的技术。半导体装置具有：载流子积蓄层；作为上层多晶硅的上层有源部，其配置于沿着将载流子积蓄层贯通的沟槽的上部的内壁的第1绝缘膜之上，与栅极电极连接；以及下层多晶硅，其配置于沿着沟槽的下部的内壁的第2绝缘膜之上，在下层多晶硅与上层有源部之间配置有第3绝缘膜。上层有源部的下端与载流子积蓄层的下端相比位于下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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