[发明专利]一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

摘要

本发明公开了一种Split‑Gate MOSFET器件制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。用于解决现有技术中，成型工艺Split‑Gate MOSFET器件制造工艺在节省成本和良好器件性能之间存在矛盾问题。制备方法包括：在第一沟槽内和第二沟槽内依次形成liner Oxide层和source poly层；通过刻蚀方法依次对所述第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀，将所述硬掩膜板包括的所述第二Oxide层去掉，对所述第二沟槽内的所述liner Oxide层进行刻蚀；通过刻蚀方法对位于所述第一沟槽内和第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀；并在所述第二沟槽内的所述source poly层上依次形成gate Oxide层、gate poly层；通过两次离子注入，形成第二导电类型体区和第一导电类型源区；并在隔离氧化层上制备接触孔。