[发明专利]一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构及其制造方法在审
申请号: | 202111245466.4 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN113940459A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 李文翔;王敏锐 | 申请(专利权)人: | 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 |
主分类号: | A24F40/46 | 分类号: | A24F40/46;A24F40/10;A24F40/40;A24F40/42;A24F40/70 |
代理公司: | 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 | 代理人: | 罗磊 |
地址: | 311231 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构,包括:硅基加热片和多孔陶瓷芯,硅基加热片包括加热丝和硅基衬底,加热丝制作在硅基衬底表面,硅基衬底上设置有阵列排布的雾化微孔,硅基衬底固定安装在多孔陶瓷芯上,雾化微孔连通多孔陶瓷芯。本发明还公开了一种基于MEMS硅基加热片的雾化芯结构的制造方法。本发明相较于现有技术,避免雾化芯漏液,降低加工难度,提高良品率,增加雾化芯雾化加热面积,提高温度均匀性,增大发雾量,减少干烧。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 mems 加热 雾化 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美满芯盛(杭州)微电子有限公司,未经美满芯盛(杭州)微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111245466.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。