[发明专利]硅片背面减薄镀膜工艺在审
| 申请号： | 202111245894.7 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113964022A | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王刚;叶炜昊 | 申请（专利权）人： | 浙江美迪凯光学半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 | 代理人： | 张德宝 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片背面减薄镀膜工艺，其包括贴膜、减薄、超声波清洗、撕膜、绑定、镀膜。该硅片背面减薄镀膜工艺去除酸洗步骤，将酸洗改换成纯水超声波清洗，去除了酸洗后废液会对环境的污染，同时节约成本；镀膜前将硅片与相配的绑定基板后镀膜，消除减少酸洗步骤后增加的破片率，提升完成加工产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 背面 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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