[发明专利]一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器有效
| 申请号： | 202111247949.8 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114070227B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;石航宁;张师斌;游天桂;郑鹏程 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及声波谐振器制备技术领域，特别涉及一种氮化铝声波谐振器的制备方法及谐振器。方法包括：获取氮化铝单晶晶片；对氮化铝单晶晶片进行离子注入，得到离子注入氮化铝单晶晶片；获取支撑衬底；将离子注入氮化铝单晶晶片与支撑衬底键合，得到异质键合结构；对异质键合结构进行退火处理，得到异质集成器件结构。AlN单晶薄膜具有继承了AlN单晶晶片的优异的晶体质量，从而大大提高AlN声波谐振器的器件性能。此外，为调控AlN的极化性能从而实现调控AlN声波谐振器的性能，选用的AlN单晶晶片的晶面不仅可以为常见的极性面，还可以选用半极性面、非极性面等晶面，使器件应用范围更广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 声波 谐振器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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