[发明专利]EEPROM电路在审
| 申请号： | 202111248005.2 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114023363A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 刘芳芳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EEPROM电路，对存储阵列进行擦除时选中的字节中的各存储单元所连接的位线都浮置；在一行中选中一个字节进行操作时，同一行中未选中的字节中对应的各存储单元连接的位线都浮置以及各存储单元连接存储字线、选择字线和源线都接0V；各列位线都和对应的传输电路连接，传输电路包括4个传输管，第一NMOS和第一PMOS组成第一差分传输路径，第二NMOS管和第二PMOS组成第二差分传输路径；第一和第二NMOS管的栅极都连接第一控制信号，第一和第二PMOS管的栅极都连接第二控制信号；第一差分传输路径连接在第三电压信号和第一位线信号之间，第二差分传输路径连接在第四电压信号和第二位线信号之间。本发明能减少电路面积，提高器件单元密度。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 电路 | ||
【主权项】：
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