[发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构在审
| 申请号： | 202111252372.X | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114121777A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张世明;肖德元;文浚硕;金若兰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/538;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构。本公开提供的半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有同向排列的第一沟槽；在所述第一沟槽侧壁上形成保护层；在所述第一沟槽底部形成第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度；在所述第二沟槽侧壁形成第一隔离层，以缩小所述第二沟槽的开口尺寸；填充所述第一沟槽和第二沟槽，形成第二隔离层，并在所述第二沟槽内形成空隙；在所述衬底形成第三沟槽，所述第三沟槽垂直于所述第一沟槽；在所述第三沟槽内形成位线。本公开通过在位线沟槽内部引入具有空隙结构的隔离层，以降低位线寄生电容，提高了半导体结构的电稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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