[发明专利]一种硅切割废料制备纳米硅基负极材料的方法在审
| 申请号： | 202111253546.4 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113991099A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 席风硕;李绍元;马文会;魏奎先;万小涵;陈正杰 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱维 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅切割废料制备纳米硅基负极材料的方法，属于硅废料回收利用技术领域。本发明将硅切割废料在保护气体或真空氛围内恒温热处理，冷却后破碎研磨得到废硅粉；将废硅粉置于HF‑金属盐‑醇类混合溶液中沉积金属纳米颗粒，加入氧化剂进行金属纳米颗粒辅助刻蚀以使硅粉中引入多孔结构和嵌入金属纳米颗粒得到预氧化的多孔硅/金属复合材料；将预氧化的多孔硅/金属复合材料细磨成粉末或与添加剂混合均匀后压制成片，焙烧得到多孔氧化硅/金属氧化物粉末或多孔氧化硅/金属复合材料；将多孔氧化硅/金属氧化物粉末或多孔氧化硅/金属复合材料制备成电极作为阴极，石墨为阳极，在熔盐电解质体系内恒电压电解得到纳米硅基负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 废料 制备 纳米 负极 材料 方法 | ||
【主权项】：
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