[发明专利]一种双MRAM的MCU及缓存数据的方法在审
| 申请号： | 202111255005.5 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113986131A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李月婷 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 唐忠仙;谷轶楠 |
| 地址： | 100191 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种双MRAM式存储器的MCU及缓存数据的方法，涉及一种双MRAM式存储器MCU领域。本申请第一方面提出了一种双MRAM式缓存MCU，所述MCU包括：处理器、AHB、存储器、APB、AHB转APB桥，所述处理器通过AHB与存储器相连，所述AHB通过AHB转APB桥与外设总线相连，所述存储器包括2个MRAM，其中1个MRAM用作备份。本申请第二方面提出了一种缓存方法，包括：针对MCU不同工作模式制定不同存储规则，并在需求部分数据存储的环境下，建立优先级决策规则。通过对在系统总线接入双MRAM作为存储器MCU结构，并结合所述缓存方法，实现对缓存空间的有效管理，提升了MCU系统的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram mcu 缓存 数据 方法 | ||
【主权项】：
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