[发明专利]一种集成电路的静电防护方法在审
申请号: | 202111256231.5 | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN113990863A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 李晓静;曾传滨;高林春;倪涛;王娟娟;李多力;闫薇薇;单梁;李明珠;罗家俊;赵发展;韩郑生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 鲁梅 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例公开了一种集成电路的静电防护方法,该方法包括:将集成电路布设于第一芯片上,集成电路包括输入端口;将静电防护电路布设于第二芯片上,静电防护电路包括第一输入接出端口、第二输入接出端口、第一二极管、第二二极管、电容、N型场效应管以及地端接出端口;将第一输入接出端口与输入端口相连,使得静电防护电路能够与集成电路相连,从而使得静电防护电路能够对集成电路进行静电防护。并且集成电路与静电防护电路布设于不同的芯片上,避免了在集成电路所在的芯片上进行静电防护设计,从而避免了由于集成电路所在芯片的基底材料限制导致无法进行静电防护设计的问题,有助于实现对静电敏感的新型材料集成电路的静电防护。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成电路 静电 防护 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的