[发明专利]一种半导体激光器的制作方法有效
| 申请号： | 202111259382.6 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113991428B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 赵武;徐红;王俊;任习鋆;张立晨;刘恒;赵润 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器的制作方法，包括：在半导体衬底层上形成有源层；在部分有源层背向半导体衬底层的一侧形成第一波导；在有源层的表面、以及第一波导的顶部表面和侧壁表面形成钝化膜；在钝化膜的表面涂覆光刻胶层，光刻胶层的表面高于第一波导的顶部表面的钝化膜；采用湿法刻蚀工艺刻蚀光刻胶层直至光刻胶层的表面暴露出第一波导的顶部表面的钝化膜；之后采用干法等离子体打氧工艺刻蚀部分光刻胶层；之后以光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一波导的顶部表面的钝化膜。本发明在保证去除第一波导的顶部表面的钝化膜的效果较好和第一波导的侧壁保留的钝化膜较多的基础上，提高了工艺效率且降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
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