[发明专利]一种应用于STT-MRAM的写验证电路在审
| 申请号： | 202111264111.X | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113990366A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰;成关壹 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于STT‑MRAM的写验证电路，属于计算机存储技术领域。所述电路包括：写操作完成检测电路和写自终止电路；所述写操作完成检测电路用于判断写操作是否完成，并产生检测反馈信号COP；所述写自终止电路根据所述检测反馈信号COP产生写操作信号和终止写操作信号。本发明的写操作完成检测电路，根据写操作过程中STT‑MRAM状态的变化，实时监控写操作的状态，并产生检测反馈信号作用于写自终止电路，一旦检测到写操作完成，写自终止电路及时产生写驱动电路终止信号，关闭写驱动，结束写操作；本发明的写验证电路简化了写操作过程，并且可以在写操作完成后及时关闭写驱动，与传统写操作相比，可降低50％的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 stt mram 验证 电路 | ||
【主权项】：
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