[发明专利]一种硅单晶研磨剂及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202111264157.1 申请日: 2021-10-28
公开(公告)号: CN113999653B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 胡剑峰;张思行;瞿金清 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;C09G1/02;C09K23/18;C09K23/42;C01B32/956;C01B21/064;C08G65/333;C08G65/337;H01L21/304
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 饶周全
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及研磨抛光技术领域,提供了一种硅单晶研磨剂的制备方法及应用,所述硅单晶研磨剂按照质量份数含β‑SiC微粉8~12份、CBN微粉1~5份、六方氮化硼微粉1~3份、聚丙烯酰胺3~5份、葡萄糖酸钠4~6份、聚乙二醇4~6份、四甲基氢氧化铵4~6份、水性聚酯润滑剂2~4份、烷基酚聚氧乙烯醚型季铵盐表面活性剂6~10份;pH值调节剂;水35~45份。本申请提供的高效硅单晶研磨剂较之传统金刚石、二氧化硅、碳化硅等抛光剂制备简单,成本相对低廉,具有高稳定性和悬浮性,使抛光后的单晶硅片获得良好的磨抛精度、磨抛效率。研磨剂废液回收方案符合资源节约、循环利用的绿色化学理念,具有极强的实用性与可操作性。
搜索关键词: 一种 硅单晶 研磨剂 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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