[发明专利]一种低泄漏电流的IGBT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111265231.1 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113964197B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 邓高强;王俊;张倩 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142 | 代理人： | 陈龙 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体是一种低泄漏电流的IGBT器件，包括N型半导体衬底；形成于N型半导体衬底正面的P阱层；形成于P阱层正面的高掺杂P+区和高掺杂N+发射区；形成于高掺杂N+发射区中部并在垂直方向上贯穿P阱层且底部位于N型半导体衬底内的沟槽栅；由沟槽栅中导电材料引出的栅电极；高掺杂P+区和高掺杂N+发射区共同引出的发射极电极；形成于N型半导体衬底背面的P型集电区；在P型集电区引出的集电极，P型集电区顶部引入具有电场截止作用的N型掺杂区，N型掺杂区包括形成于P型集电区顶部的一阶N型掺杂区和形成于一阶N型掺杂区顶部的二阶N型掺杂区。本发明可以减小器件的漏电流，提升器件的耐高温能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 泄漏 电流 igbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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