[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号： | 202111269772.1 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114446823A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 高桥朋宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)具备：基板保持部(120)，保持配列成沿列方向排成一列的基板列的多个基板(W)；处理槽(110)，贮存用以浸渍由基板保持部(120)保持的基板(W)的处理液(L)；及多个气泡产生管(136)，通过对处理液(L)供给气体而在处理液(L)中产生气泡。多个气泡产生管(136)中，对位于浸渍在处理液(L)中的基板列的端部下方的端部气泡产生管(136b、136c)供给的气体的流量，多于对位于基板列的中央下方的中央气泡产生管(136a)供给的气体的流量。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
