[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的堆叠层，该堆叠层由上至下依次包括第一栅极层、第一绝缘层、第二栅极层和第二绝缘层，以及沿垂直于衬底的纵向贯穿第一栅极层和第一绝缘层的第一沟道结构，和沿纵向贯穿第二栅极层的第二沟道结构。该第二沟道结构的顶部与第一沟道结构的底部连接，第二沟道结构在垂直于纵向的截面的横截面积大于第一沟道结构在垂直于纵向的截面的横截面积。由于第一沟道结构的横截面积较小，因此第一栅极层的选通速率更快，进而可以提高半导体器件的栅极控制能力。同时第二沟道结构的横截面积较大，因此第二沟道结构可以支持更高的空穴存储量，进而可以提高半导体器件的存储能力。