[发明专利]一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统在审
| 申请号： | 202111271901.0 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114156172A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 杨小兵;王传敏;孙金池;殷丽;赵昕;吴立成;王华 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 马全亮 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统，采用合适的刻蚀/钝化阶段气体流量和时间，硅对光刻胶刻蚀选择比高(120：1)，在整个刻蚀过程中可以直接用光刻胶作为刻蚀掩模；采用高射频功率产生足够高的等离子体密度，实现快速刻蚀，刻蚀速率可达5um/min；采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换时间和渐变的工艺参数来保证深槽的陡直度(90°±0.1°)，线条光滑。本发明直接用光刻胶作为刻蚀掩模，避免了在大于100微米深槽刻蚀中常规的金属掩模，既使得工艺过程变得简单，又不会对工艺腔室造成污染；其独特的刻蚀性能可以有效地实现台面高频晶体管硅隔离深槽结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 选择 隔离 刻蚀 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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