[发明专利]一种SiC陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202111271983.9 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113754440B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 关莉;张锐;陈家辉;王海龙;李明亮;赵彪;张新月;范冰冰;郭少杰;周逸凡;李永欢 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/571;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 郑州豫原知识产权代理事务所(普通合伙) 41176 | 代理人： | 轩丽杰 |
| 地址： | 450046 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于高温结构陶瓷技术领域，提供了一种SiC陶瓷材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：S1、将粒径不同的SiC颗粒进行不同的质量比例混合，然后加入聚碳硅烷，混合均匀后，得混合粉体；S2、将S1得到混合粉体装入模具中，对混合粉体预压后，采用振荡热压烧结，冷却得到SiC陶瓷材料。本发明采用不同粒径的SiC颗粒，按照不同比例进行颗粒级配，加入聚碳硅烷，在不添加烧结助剂条件下，通过振荡热压技术进行烧结以获得高致密度、高性能的无烧结助剂SiC陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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