[发明专利]一种MEMS结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202111273346.5 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113891224A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 夏永禄;刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，具有空腔；振动支撑层，形成在衬底上方并且覆盖空腔；第一电极层，形成在振动支撑层上方并且悬置在空腔上方；压电层，形成在第一电极层上方；第二电极层，形成在压电层上方；缓冲件，从振动支撑层的上表面延伸至振动支撑层的下表面，缓冲件位于第一电极层、压电层和第二电极层的外围，并且悬置在空腔上方。在该MEMS结构中，将缓冲件设置在第一电极层、压电层和第二电极层的外围，相当于对第一电极层、压电层和第二电极层的外围区域进行加固，从而增加了振动支撑层的平整度，进而增加了MEMS结构的可靠性和稳定性。提高MEMS结构的灵敏度和信噪比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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