[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括形成衬底，形成位于衬底上的第一栅极和第二栅极，以及分别形成于第一栅极侧壁和第二栅极侧壁的第一侧墙和第二侧墙。衬底中形成有间隔设置的高压阱区和低压阱区，第一栅极和第二栅极分别对应高压阱区和低压阱区且第一栅极的高度大于第二栅极的高度，第一侧墙的宽度大于第二侧墙的宽度。由于高压阱区对应的第一栅极的高度和第一侧墙的宽度较大，因此能够提高器件的性能，如减少栅极氧化层的损伤和热载流子效应，同时由于低压阱区对应的第二栅极的高度和第二侧墙的宽度较小，因此能够提高器件的速度，缩小器件的面积。