[发明专利]分栅式闪存存储器的制造方法在审
| 申请号： | 202111276183.6 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113990876A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 孙旭轩;陈莉芬;李秀然;刘宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分栅式闪存存储器的制造方法，在形成浮栅尖端以后，通过对浮栅层进行氧化处理，可使得所述浮栅尖端圆滑化，减少浮栅中的电子泄露，降低漏电流，有助于提高数据保持能力，从而提高存储器的擦除性能。进一步的，通过对所述浮栅层进行氧化处理，可降低所述浮栅尖端的高度，并可提高所述浮栅层的表面的光滑度，使得所述浮栅层与字线之间的电容减小，从而使得电容耦合率也相应减小，进而提高存储器的编程性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅式 闪存 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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