[发明专利]嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111276197.8 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113990746A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 杜强;孙访策 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法，嵌入式闪存包括闪存区及逻辑区，闪存区包括闪存单元，逻辑区包括逻辑单元，所述嵌入式闪存的侧墙结构的形成方法包括：提供嵌入式闪存的浮栅层的版图和逻辑栅极层的版图；根据浮栅层的版图及逻辑栅极层的版图，确定嵌入式闪存的实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据；根据实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据和侧墙结构的预设宽度，选择对应的侧墙材料层以及侧墙结构的形成工艺。采用本发明实施例，可以根据所获得的实际侧墙材料层覆盖图案的版图数据，并结合侧墙结构的预设宽度，选择合适的侧墙材料层以及侧墙结构的形成工艺，从而对嵌入式闪存的侧墙结构的宽度进行精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 闪存 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
