[发明专利]一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片有效
| 申请号： | 202111277255.9 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113894623B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 唐林锋;宋向荣;马金峰;周铁军;刘火阳;廖和杰 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张柳 |
| 地址： | 511500 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的单面抛光方法及锑化镓抛光片。所述锑化镓晶片的单面抛光方法包括以下步骤：A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行单面粗抛；所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、双氧水、柠檬酸钠、焦磷酸钠和水；B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行单面精抛，得到锑化镓抛光片；所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂和水。本发明提供的锑化镓晶片的单面抛光方法包括两步抛光：单面粗抛和单面精抛。通过采用特定的粗抛试剂和精抛试剂进行单面粗抛和单面精抛，最终制备的锑化镓抛光片的抛光面平整度较高，粗糙度较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化镓 晶片 单面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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